Компанија Samsung Електроника представљени графички чипови најновије генерације Грапхицс Доубле Дата Рате 7 или ГДДР7. Произвођач обећава највећу брзину у индустрији и бољу енергетску ефикасност, а први партнери ће чипове добити на тестирање већ ове године.
Према речима Samsung, нови ГДДР7 меморијски модули (16ГБ или 2ГБ по чипу) побољшавају пропусни опсег за 40%, испоручујући импресивних 1,5ТБ/с и 32ГБ/с по пину. Поређења ради, најављени су ГДДР6 чипови Samsung прошле године (још увек доступни као узорци), достижу 1,1 ТБ/с.
Побољшање брзине је омогућено методом сигнализације пулсне амплитудне модулације-3 (ПАМ3) уместо методе без повратка на нулу (НРЗ) која се користила у претходној генерацији. Samsung тврди да ПАМ3 пружа 50% више података него НРЗ у истом циклусу сигнализације.
Поред побољшања брзине и перформанси, Самсунгова ГДДР7 меморија смањује потрошњу енергије и обезбеђује 20% повећање енергетске ефикасности захваљујући „технологији дизајна за уштеду енергије оптимизованој за операције велике брзине“. Произвођачи ће такође имати прилику да своје уређаје (лаптопове или таблете) опреме нисконапонском меморијом. Међутим, тачни подаци о напону из Samsung не још, па очекујте више детаља у будућности.
Коначно, Самсунг каже да његова ГДДР7 меморија садржи епоксидну масу за калуповање (ЕМЦ) са високом топлотном проводљивошћу како би се побољшало расипање топлоте и обезбедиле стабилне перформансе током интензивних операција велике брзине. Није тајна колико ГДДР6 меморијски чипови могу бити врући, тако да би ГДДР7 требало да побољша ово са 70% мањим термичким отпором у поређењу са ГДДР6.
Прочитајте такође: