Samsung Електроника намерава да ослободи 1 ТБ ДДР5 меморије у једном модулу захваљујући продору у производњи ДРАМ-а.
Јужнокорејска компанија развијена прва 32-гигабитна (ГБ) ДДР5 РАМ меморија у индустрији меморије са највећим капацитетом, користећи 12нм процес. Захваљујући овоме Samsung ће моћи да произведе 5ТБ ДДР1 меморијске модуле, али постоји још једна предност преласка на 32ГБ ДРАМ. У поређењу са постојећим 5ГБ ДДР16 ДРАМ модулима произведеним коришћењем 12нм процеса, потрошња енергије модула од 128ГБ биће смањена за 10%.
Према Санг-Јоон Хвану, потпредседнику ДРАМ производа и технологије у Samsung Електроника, у почетку ће главни потрошачи ове меморије бити центри података, вештачка интелигенција и велики подаци: „Захваљујући нашим 32 гигабајта ДРАМ меморије класе 12 нм, добили смо решење које ће нам омогућити да креирамо ДРАМ модуле са запремине до 1 ТБ, што ће нам омогућити да будемо идеално позиционирани да задовољимо растућу потребу за РАМ-ом великог капацитета у ери АИ (вештачке интелигенције) и великих података… Наставићемо да развијамо ДРАМ решења користећи диференциране производне процесе и дизајн технологије како би се помериле границе меморијске технологије.”
Више меморије у мање простора уз мању потрошњу енергије увек ће бити популарно код оператера центара података. Међутим, ова меморијска технологија би на крају требало да мигрира на ДДР5 модуле који се користе у нашим десктоп рачунарима и лаптоповима. Тренутно се чини да су меморијски комплети од 192 ГБ који се састоје од четири модула највиши ниво за потрошаче.
Прочитајте такође: