 для авіації і космосу.){kind=link}
Управо је најављено лансирање 1 Гбит (128 МБ) СТТ-МРАМ дискретних меморијских чипова за апликације у ваздухопловству. Ово је много пута гушћа магнеторезистивна меморија од оне раније понуђене. Стварна густина постављања СТТ-МРАМ меморијских елемената је повећана 64 пута, ако говоримо о производима компаније Мицросс, која производи ултра-поуздано електронско пуњење за ваздухопловну и одбрамбену индустрију.
СТТ-МРАМ Мицросс чипови су засновани на технологији америчке компаније Аваланцхе Тецхнологи. Аваланцхе је 2006. основао Петер Естакхри, родом из Лекара и Циррус Логиц-а. Поред Аваланцхе-а, Еверспин и Samsung. Први ради у сарадњи са ГлобалФоундриес и фокусира се на издавање уграђеног и дискретног СТТ-МРАМ-а са технолошким стандардима од 22 нм, а други (Samsung) док пушта СТТ-МРАМ у облику блокова од 28 нм уграђених у контролере. Успут, блок СТТ-МРАМ капацитета 1 Гб Samsung представљен пре скоро три године.
Заслугом Мицросса се може сматрати ослобађање дискретног 1Гбит СТТ-МРАМ-а, који је лак за употребу у електроници уместо НАНД-фласх-а. СТТ-МРАМ меморија ради у већем температурном опсегу (од -40° Ц до 125° Ц) са скоро бесконачним бројем циклуса поновног писања. Не плаши се зрачења и температурних промена и може да складишти податке у ћелијама и до 10 година, а да не говоримо о већим брзинама читања и писања и мањој потрошњи енергије.
Подсетимо се да СТТ-МРАМ меморија складишти податке у ћелијама у облику магнетизације. Овај ефекат је откривен 1974. године током развоја хард дискова у ИБМ-у. Тачније, тада је откривен магнеторезитивни ефекат који је послужио као основа МРАМ технологије. Много касније, предложено је да се промени магнетизација меморијског слоја коришћењем ефекта преноса спина електрона (магнетног момента). Тако је називу МРАМ додата скраћеница СТТ. Правац спинтронике у електроници заснива се на преносу спина, што у великој мери смањује потрошњу чипова због изузетно малих струја у процесу.
Прочитајте такође: